Igbt GT60N321
- : 2488
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW36-c
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
20 Product(s) Sold
- 832 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 746 RSD
Igbt GT60N321
GT60N321 je izuzetno sna�an N-kanalni Igbt ?etvrte generacije, predvidjen za upotrebu u svim prekida?kim aplikacijama
velike snage. Popularan izbor Toshibinog tranzistora ?ete na?i u mnogim inverterskim uredjajima kao �to
su trofazni aparati za zavarivanje, AC/DC i DC/DC konverteri, te je pogodan za mnoge profesionalne i hobi elektronske projekte. Maksimalna brzina prekidanja je 0,25uS, te u paralelnoj vezi mo�e zameniti mnogo ja?e module.
Vce (napon kolektor-emiter)
(V)
1000V
+/-Vge (napon gejt-emiter)
(V)
25
Ic (struja kolektora) na 25 �C
(A)
60
Ic (struja kolektora) na 100 �C
(A)
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.)
(A)
120
Ukupna snaga disipacije
(W)
170 / 85
Ku?i�te
2-21F2C
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 1000V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 25 |
Ic (struja kolektora) na 25 �C | (A) | 60 |
Ic (struja kolektora) na 100 �C | (A) |
|
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 120 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 170 / 85 |
Ku?i�te |
| 2-21F2C |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25�C "A" | 60 |
| Integrisana dioda | DA |
| Ku?i�te | 2-21F2C |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 170 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 1000 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 25 |
GT30J101 je tre?a generacija N-kanalnog Igbta predvidjen za upotrebu u svim prekida?kim aplikacijam..
772 RSD
GT50J341 je jo� jedan u nizu novih Toshiba tranzistora. Ovaj Igbt �este generacije je predvidjen za..
594 RSD
GT60M104 je izuzetno sna�an N-kanalni Igbt, predvidjen za upotrebu u svim prekida?kim aplikaci..
829 RSD
GT60M303 je izuzetno sna�an N-kanalni Igbt, predvidjen za upotrebu u svim prekida?kim aplikaci..
898 RSD
2SK1217 Fuji-jev N-kanalni Mos-fet sa za�titnom diodom je generalno namenjen za sve prekida?ke aplik..
440 RSD