Igbt HGTG12N60A4
- : 2169
- Brend: Inverter Elektronika
- Šifra artikla: YW8-c
- Raspoloživost: Na lageru
- Preuzmi PDF:
- 515 RSD
- 5 ili više komada dobijate po ceni: 462 RSD
Igbt HGTG12N60A4
Ovaj SMPS Igbt kombinuje najbolje prednosti visokog ulaznog otpora MosFeta, kao i �low on-state�� gubitka provodljivosti bipolarnih tranzistora. Idealan je za mnoge visoko naponske prekidacke aplikacije na visokim frekvencijama, gde su gubici smanjene provodljivosti kljucni.Mo�ete ga sresti u Varstroj, Telwin i drugim aparatima za zavarivanje u paralelnom vezivanju. Takodje, kao rezervna elektronska komponenta se koristiti pri servisu inverterskih uredjaja, za profesionalne i hobi elektronske projekte.
Vce (napon kolektor-emiter) | (V) | 600V |
+/-Vge (napon gejt-emiter) | (V) | 20 |
Ic (struja kolektora) na 25 �C | (A) | 54 |
Ic (struja kolektora) na 110 �C | (A) | 23 |
Ic (struja kolektora) pulsna (uklju?.) | (A) | 96 |
Ukupna snaga disipacije | (W) | 167 |
Ku?i�te |
| TO-247 |
| Igbt | |
| Ic (struja kolektora) na 25�C "A" | 54 |
| Integrisana dioda | NE |
| Ku?i�te | TO247 |
| P (ukupna snaga disipacije) "W" | 167 |
| TIP | N-kanalni |
| Vce (napon kolektor-emiter) "V" | 600 |
| Vge (napon gejt-emiter) "V" | 20 |